RH6L040BGTB1 与 BSZ100N06LS3 G 区别
| 型号 | RH6L040BGTB1 | BSZ100N06LS3 G | ||||||||
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| 唯样编号 | A32-RH6L040BGTB1-1 | A-BSZ100N06LS3 G | ||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Infineon Technologies | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||
| 描述 | Nch 60V 65A, HSMT8, Power MOSFET | 系列:OptiMOS™ | ||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 功率耗散Pd | 59W | 50W | ||||||||
| 上升时间 | - | 58ns | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V | ||||||||
| Qg-栅极电荷 | - | 45nC | ||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | 20V | ||||||||
| 正向跨导 - 最小值 | - | 20S | ||||||||
| 典型关闭延迟时间 | - | 19ns | ||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||
| 封装/外壳 | HSMT8 | PG-TSDSON-8 | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 65A | 20A | ||||||||
| 通道数量 | - | 1Channel | ||||||||
| 配置 | - | Single | ||||||||
| 系列 | - | OptiMOS™ | ||||||||
| 长度 | - | 3.3mm | ||||||||
| 下降时间 | - | 8ns | ||||||||
| 导通电阻Rds(On) | 7.1mΩ@40A,10V | 7.7mΩ | ||||||||
| 高度 | - | 1.10mm | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 3,000 | 0 | ||||||||
| 工厂交货期 | 7 - 14天 | 56 - 70天 | ||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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RH6L040BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSMT8 N-Channel 59W 7.1mΩ@40A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 65A |
￥8.2661
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3,000 | 当前型号 | ||||||||||
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BSZ100N06LS3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
60V 20A 7.7mΩ 20V 50W N-Channel -55°C~150°C PG-TSDSON-8 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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SIS862ADN-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
15.8A(Ta),52A(Tc) N-Channel 7,2 mOhms @ 10A,10V 3.6W(Ta),39W(Tc) -55°C~150°C 60V SOT1210 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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NTTFS5C673NLTAG | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-WDFN(3.3x3.3) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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NVTFS020N06CTAG | ON Semiconductor | 功率MOSFET |
8-WDFN(3.3x3.3) 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||||
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NTTFS5826NLTAG | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-WDFN(3.3x3.3) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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